薄膜電阻“率”及計算公式詳情解析
發(fā)布時間： 2021-06-01 
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原標(biāo)題：薄膜電阻率
薄膜電阻是一種常見的電阻產(chǎn)品，在眾多電子設(shè)備中，薄膜電阻的使用是非常廣泛。而薄膜電阻的電阻率是許多應(yīng)用非常關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)，薄膜電阻率通常也稱為電阻值。在很多半導(dǎo)體的電阻值取決于導(dǎo)體的使用材料性質(zhì)及幾何尺寸。截面積一定的半導(dǎo)體休息時，其電阻值與長度成正比關(guān)系，與截面積成反比。
對于薄膜材料，由于厚度非常小，很難準(zhǔn)確測量厚度，導(dǎo)體的電阻率不再是常數(shù)。因為此時薄膜不再是一個致密完整的導(dǎo)體，薄膜具有一定的不連續(xù)性和不均勻性。在這種情況下，導(dǎo)體的電阻率與厚度密切相關(guān)，通常膜層越薄，電阻率也越大。因此，薄膜材料一般不使用電阻率，而是使用薄膜電阻來表現(xiàn)薄膜的特性。
薄膜電阻相當(dāng)于長寬相等的方形薄膜，當(dāng)電流從一側(cè)流向另一側(cè)英寸時，有方形電阻的名稱。四探針法可以直接在薄膜上測量薄膜電阻。四個探針在一條直線上，間距相等，約為1亳米。外面的兩個探針是電流探針，里面的兩個是電壓探針。
在許多情況下，當(dāng)我們用于技術(shù)電阻率與半導(dǎo)體截面積的關(guān)系時，通常使用R=/s(歐洲)中的l-導(dǎo)體長度，單位為厘米，S-導(dǎo)體截面積，單位為厘米2，-pl/s(歐洲)中的l-導(dǎo)體長度，單位為歐洲厘米。
另外，電阻率是表現(xiàn)材料導(dǎo)電性能的重要參數(shù)，電阻所使用的材料一般應(yīng)選擇電阻率高、性能穩(wěn)定的材料。純金屬材料為良導(dǎo)體，電阻率低，通常為10-51-8歐米左右，溫度系數(shù)大，因此純金屬不適合制造電阻。由兩種或幾種電阻合金制成的電阻率較高，約10_4歐米，溫度系數(shù)較低，可用于制造性能優(yōu)異的電阻。
另外，非線繞組電氣設(shè)備采用分散性導(dǎo)體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜)，采用分散性導(dǎo)體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜)。半導(dǎo)體材料的電阻率很高，但半導(dǎo)體休息在外部光、熱等物理因素的作用下敏感，一般不適合制造性能穩(wěn)定的電阻，適合制造敏感的電阻。
相關(guān)資料：
薄膜電阻率計算公式如下
薄膜電阻用歐姆/平方來計量，可被應(yīng)用于將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統(tǒng)。它與三維系統(tǒng)下所用的電阻率的概念對等。當(dāng)使用到薄膜電阻一詞的時候，電流必須沿著薄膜平面流動，而非與其垂直。
對于常規(guī)三維導(dǎo)體，電阻可被寫為
其中ρ代表電阻率，A代表截面面積而L代表長度。截面面積可被分解為寬度W和薄膜厚度t。
當(dāng)把電阻率和厚度放到一起時，電阻可被記為
Rs即為薄膜電阻。因為它被一個無量綱量所乘，所以單位依然是歐姆。而歐姆/平方這一單位被使用是因為它給出了以歐姆為單位的從一個平方區(qū)域流向相對平方區(qū)域的電阻，無論平方區(qū)域的大小如何。對于正方情形，L = W。因此，對任意平方大小，有R = Rs。
以上內(nèi)容主要介紹薄膜電阻率及薄膜電阻率計算公式。
深圳市順海科技有限公司是一家專業(yè)的保險絲、貼片保險絲、合金電阻、貼片電阻、貼片電容、貼片電感、一體成型電感、TVS、ESD、 PPTC、GDT、TSS、MOS、LDO等保護器件、靜電管代理品牌有華德、薩瑞微、碩凱、天二、國巨、厚聲、旺詮、TDK、大毅、光頡、威世、ELLON、EVER、OHMS、MURATA、TAIYO、SUNLROP、TDK、LRC、ITE、SAMSUNG，專業(yè)的銷售團隊以及海量現(xiàn)貨庫存，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，歡迎咨詢合作。
標(biāo)簽：薄膜電阻率、薄膜電阻率計算公式、薄膜電阻率單位
薄膜電阻是一種常見的電阻產(chǎn)品，在眾多電子設(shè)備中，薄膜電阻的使用是非常廣泛。而薄膜電阻的電阻率是許多應(yīng)用非常關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)，薄膜電阻率通常也稱為電阻值。在很多半導(dǎo)體的電阻值取決于導(dǎo)體的使用材料性質(zhì)及幾何尺寸。截面積一定的半導(dǎo)體休息時，其電阻值與長度成正比關(guān)系，與截面積成反比。
對于薄膜材料，由于厚度非常小，很難準(zhǔn)確測量厚度，導(dǎo)體的電阻率不再是常數(shù)。因為此時薄膜不再是一個致密完整的導(dǎo)體，薄膜具有一定的不連續(xù)性和不均勻性。在這種情況下，導(dǎo)體的電阻率與厚度密切相關(guān)，通常膜層越薄，電阻率也越大。因此，薄膜材料一般不使用電阻率，而是使用薄膜電阻來表現(xiàn)薄膜的特性。
薄膜電阻相當(dāng)于長寬相等的方形薄膜，當(dāng)電流從一側(cè)流向另一側(cè)英寸時，有方形電阻的名稱。四探針法可以直接在薄膜上測量薄膜電阻。四個探針在一條直線上，間距相等，約為1亳米。外面的兩個探針是電流探針，里面的兩個是電壓探針。
在許多情況下，當(dāng)我們用于技術(shù)電阻率與半導(dǎo)體截面積的關(guān)系時，通常使用R=/s(歐洲)中的l-導(dǎo)體長度，單位為厘米，S-導(dǎo)體截面積，單位為厘米2，-pl/s(歐洲)中的l-導(dǎo)體長度，單位為歐洲厘米。
另外，電阻率是表現(xiàn)材料導(dǎo)電性能的重要參數(shù)，電阻所使用的材料一般應(yīng)選擇電阻率高、性能穩(wěn)定的材料。純金屬材料為良導(dǎo)體，電阻率低，通常為10-51-8歐米左右，溫度系數(shù)大，因此純金屬不適合制造電阻。由兩種或幾種電阻合金制成的電阻率較高，約10_4歐米，溫度系數(shù)較低，可用于制造性能優(yōu)異的電阻。
另外，非線繞組電氣設(shè)備采用分散性導(dǎo)體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜)，采用分散性導(dǎo)體(例如炭黑、石墨)和薄膜材料(例如熱分解碳薄膜、金屬薄膜)。半導(dǎo)體材料的電阻率很高，但半導(dǎo)體休息在外部光、熱等物理因素的作用下敏感，一般不適合制造性能穩(wěn)定的電阻，適合制造敏感的電阻。
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薄膜電阻率計算公式如下
薄膜電阻用歐姆/平方來計量，可被應(yīng)用于將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統(tǒng)。它與三維系統(tǒng)下所用的電阻率的概念對等。當(dāng)使用到薄膜電阻一詞的時候，電流必須沿著薄膜平面流動，而非與其垂直。
對于常規(guī)三維導(dǎo)體，電阻可被寫為
其中ρ代表電阻率，A代表截面面積而L代表長度。截面面積可被分解為寬度W和薄膜厚度t。
當(dāng)把電阻率和厚度放到一起時，電阻可被記為
Rs即為薄膜電阻。因為它被一個無量綱量所乘，所以單位依然是歐姆。而歐姆/平方這一單位被使用是因為它給出了以歐姆為單位的從一個平方區(qū)域流向相對平方區(qū)域的電阻，無論平方區(qū)域的大小如何。對于正方情形，L = W。因此，對任意平方大小，有R = Rs。
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